型号: | MM5Z15VB |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 15 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 273K |
代理商: | MM5Z15VB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBD1703AL99Z | 0.05 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD1705AD87Z | 0.05 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD301LT1 | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
MMBD4148SE-TP | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBV105GL | UHF BAND, 30 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MM5Z15VT1 | 功能描述:稳压二极管 15V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MM5Z15VT1G | 功能描述:稳压二极管 15V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MM5Z15VT5 | 功能描述:稳压二极管 15V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MM5Z15VT5G | 功能描述:DIODE ZENER 15V 200MW SOD-523 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
MM5Z16 | 制造商:HTSEMI 制造商全称:Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |