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参数资料
| 型号： | MMA20312BVT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP HBT INGAP/GAAS 12QFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 频率： | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| P1dB： | 28.2dBm |
| 增益： | 27.2dB |
| 噪音数据： | 3.3dB |
| RF 型： | CDMA，TDMA，PCS |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 70mA |
| 测试频率： | 2.14GHz |
| 封装/外壳： | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Freescale Semiconductor
Technical Data
Heterojunction Bipolar Transistor
Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier
The MMA20312BV is a 2-- stage high efficiency, Class AB InGaP HBT
amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station
applications as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It
is suitable for applications with frequencies from 1800 to 2200 MHz such as
CDMA, TD--SCDMA, PCS, UMTS and LTE at operating voltages from 3 to
5 Volts. The amplifier is housed in a cost--effective, surface mount QFN plastic
package.
? Typical Performance: V CC = 5 Volts, I CQ = 70 mA, P out = 17 dBm
Document Number: MMA20312BV
Rev. 1, 12/2011
MMA20312BVT1
1800--2200 MHz, 27.2 dB
30.5 dBm
InGaP HBT
Frequency
1880 MHz
G ps
(dB)
29.0
ACPR
(dBc)
--47.4
PAE
(%)
9.1
Test Signal
TD--SCDMA
1920 MHz
2010 MHz
2025 MHz
2140 MHz
29.0
27.4
26.8
27.0
--46.7
--52.0
--50.0
--51.7
9.0
9.3
9.5
9.4
TD--SCDMA
TD--SCDMA
TD--SCDMA
W--CDMA
CASE 2131--01
QFN 3x3
PLASTIC
Features
? Frequency: 1800--2200 MHz
? P1dB: 30.5 dBm @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
? Power Gain: 26.4 dB @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
? OIP3: 44.5 dBm @ 2140 MHz (W--CDMA Application Circuit)
? Active Bias Control (adjustable externally)
? Single 3 to 5 Volt Supply
? Cost--effective QFN Surface Mount Package
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.
Table 1. Typical Performance (1)
Table 2. Maximum Ratings
1800
2140
2200
Rating
Symbol
Value
Unit
Characteristic
Small--Signal Gain
(S21)
Input Return Loss
Symbol
G p
IRL
MHz
28.8
--17.6
MHz
26.4
--10.9
MHz
25.5
--9.7
Unit
dB
dB
Supply Voltage
Supply Current
RF Input Power
V CC
I CC
P in
6
550
14
V
mA
dBm
(S11)
Storage Temperature Range
T stg
--65 to +150
° C
Junction Temperature
T J
150
° C
Output Return Loss
(S22)
Power Output @ 1dB
Compression
ORL
P1dB
--20.3
30.5
--14.7
30.5
--13.7
30.5
dB
dBm
(2)
2. For reliable operation, the junction temperature should not
exceed 150 ° C.
1. V CC1 = V CC2 = V BIAS = 5 Vdc, T A = 25 ° C, 50 ohm system, CW
Application Circuit
Table 3. Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 86 ° C, V CC1 = V CC2 = V BIAS = 5 Vdc
Symbol
R θ JC
Value (3)
52
Unit
° C/W
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf .
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.
? Freescale Semiconductor, Inc., 2011. All rights reserved.
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MMA20312BVT1
1
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