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参数资料
| 型号： | MMBD101WST/R13 |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | MMBD101WST/R13 |
PAGE . 2
STAD-MAR.26.2007
MMBD101WS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J=25
OC unless otherwise noted)
r
e
t
e
m
a
r
a
P
l
o
b
m
y
S
n
o
i
t
i
d
n
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C
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.
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.
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x
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B
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R
V
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R
B
(
I
R
0
1
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A
0
.
7
0
1
-
V
t
n
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u
C
e
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a
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L
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R
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R
V
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3
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5
2
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A
e
g
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t
l
o
V
d
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o
w
r
o
F
V
F
I
F
A
m
0
1
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-
5
.
0
6
.
0
V
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c
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a
t
i
c
a
p
a
C
l
a
t
o
T
C
J
V
,
z
H
M
0
.
1
=
f
R
V
0
=
-
8
.
0
.
1
F
p
FIG. 1-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
FIG. 2-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG. 3 TYPICAL TOTAL CAPACITANCE
0.1
1
10
100
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Forward Voltage, V
F (V)
Fo
rw
a
rd
C
ur
re
nt,
I F
(m
A
)
T
J =25
T
J =75
T
J = 125
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
Junction Temperature, T
J (C)
R
ever
se
C
u
rr
en
t,
I R
(u
A
)
VR =3V
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0123
4567
Reverse Voltage, V
R (V)
C
a
p
aci
ta
n
ce,
C
(p
F
)
f=1MHz
OC
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PDF描述 |
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