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参数资料
| 型号： | MMBD101WT/R7 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | MMBD101WT/R7 |
PAGE . 2
REV.0-DEC.29.2005
MMBD101W/MMBD352W/MMBD353W/MMBD354W/
MMBD355W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
O
C , unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
100
10
1
0.1
Forward Voltage, V (V)
F
Forward Voltage, V (V)
F
Forward
Current,I
(mA)
F
Forward
Current,I
(mA)
F
0
25
50
75
100
125
150
10
1
0.1
0.01
Junction Temperature,T (C)
J
Junction Temperature,T (C)
J
Reverse
Current,I
(
A
)
R
m
Reverse
Current,I
(
A
)
R
m
0
1
2
3
4
5
6
7
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
Reverse Voltage,V (V)
R
Reverse Voltage,V (V)
R
T =125 C
J
O
T =125 C
J
O
T=75 C
J
O
T=75 C
J
O
V=3V
R
V=3V
R
T=25 C
J
O
T=25 C
J
O
f=1MHz
Capacitance,
C(pF)
Capacitance,
C(pF)
Fig.1-Typical Forward Characteristics
Fig.2-Typical Reverse Characteristics
Fig.3-Typical Total Capacitance
R
E
T
E
M
A
R
A
PL
O
B
M
Y
SN
O
I
T
I
D
N
O
C
T
S
E
T.
N
I
M.
P
Y
T.
X
A
MS
T
I
N
U
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
r
e
v
e
RV
)
R
B
(
I
R
0
1
=
A0
.
70
1-
V
t
n
e
r
u
C
e
g
a
k
a
e
L
e
s
r
e
v
e
RI
R
V
R
V
0
.
3
=-
-
5
2
.
0
A
e
g
a
t
l
o
V
d
r
a
w
r
o
FV
F
I
F
A
m
0
1
=-
5
.
06
.
0V
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
l
a
t
o
TC
T
V
;
z
H
M
0
.
1
=
f
R
V
0
=-
8
.
00
.
1F
p
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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