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参数资料
| 型号： | MMBD1201D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | MMBD1201D87Z |
MMBD1201
/
1203
/
1204
/
1205
MMBD1200 series, Rev. A1
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Typical Characteristics
REVERSE VOLTAGE vs REVERSE CURRENT
BV - 1.0 to 100 uA
1
2
3
5
10
20 30
50
100
110
120
130
140
150
I - REVERSE CURRENT (uA)
V
-
R
E
VERSE
V
O
LT
A
GE
(V
)
R
Ta= 25°C
R
Ta= 25°C
REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
IR - 10 to 100 V
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
10
20
30
50
70
100
0
50
100
150
200
250
300
V
- REVERSE VOLTAGE (V)
I
-R
EVERSE
C
URR
ENT
(nA
)
225
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 1.0 to 100 uA
1
2
3
5
10
20 30
50
100
250
300
350
400
450
I - FORWARD CURRENT (uA)
V
-
FO
R
W
A
R
D
V
O
LT
A
GE
(
m
V)
F
485
Ta= 25°C
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 0.1 to 10 mA
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
450
500
550
600
650
700
I - FORWARD CURRENT (mA)
V
-
F
O
R
W
A
R
D
VOL
TA
G
E
(m
V)
F
725
Ta= 25°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 100
A
100
V
IRM
Maximum Instantaneous Reverse
Current
VR = 20 V
VR = 50 V
VR = 50 V, TA = 150
°C
25
50
5.0
nA
A
VFM
Maximum Instantaneous Forward
Voltage
IF = 1.0 mA
IF = 10 mA
IF = 100 mA
IF = 200 mA
IF = 300 mA
550
660
820
0.87
600
740
920
1.0
1.1
mV
V
CT
Diode Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0
pF
trr
Reverse Recovery Time
IRR = 1.0 mA, IF = IR = 10 mA,
RL = 100
4.0
ns
V
R
V
F
V
F
High Conductance Ultra Fast Diode
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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