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参数资料
| 型号： | MMBD1204S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MMBD1204S62Z |
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Typical Characteristics
REVERSE VOLTAGE vs REVERSE CURRENT
BV - 1.0 to 100 uA
1
2
3
5
10
20
30
50
100
110
120
130
140
150
I - REVERSE CURRENT (uA)
V
-
R
E
VERSE
V
O
L
T
A
GE
(V
)
R
Ta= 25°C
R
Ta= 25°C
REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
IR - 10 to 100 V
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
10
20
30
50
70
100
0
50
100
150
200
250
300
V
- REVERSE VOLTAGE (V)
I
-
R
EVERSE
CU
RREN
T
(n
A
)
225
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 1.0 to 100 uA
1
2
3
5
10
20
30
50
100
250
300
350
400
450
I - FORWARD CURRENT (uA)
V
-
F
O
R
W
A
R
D
VO
L
T
A
G
E
(mV
)
F
485
Ta= 25°C
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 0.1 to 10 mA
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
450
500
550
600
650
700
I - FORWARD CURRENT (mA)
V
-
F
O
R
W
A
R
D
V
O
L
T
A
GE
(mV)
F
725
Ta= 25°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
BV
Breakdown Voltage
IR = 100
A
100
V
IR
Reverse Current
VR = 20 V
VR = 50 V
VR = 50 V, TA = 150
°C
25
50
5.0
nA
A
VF
Forward Voltage
IF = 1.0 mA
IF = 10 mA
IF = 100 mA
IF = 200 mA
IF = 300 mA
550
660
820
0.87
600
740
920
1.0
1.1
mV
V
CT
Diode Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0
pF
TRR
Reverse Recovery Time
IRR = 1.0 mA, IF = IR = 10 mA,
RL = 100
4.0
nS
V
R
V
F
V
F
High Conductance Ultra Fast Diode
(continued)
MMBD1201
/
1203
/
1204
/
1205
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD1405AS62Z | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3004ST/R7 | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3004CT/R13 | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3004S | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4148WT-TP | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1205 | 功能描述:整流器 High Conductance Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1205 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODES SMALL SIGNAL ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMALL SIGNAL DIODE, 100V 200mA SOT-23 |
| MMBD1205_D87Z | 功能描述:整流器 High Conductance Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1205_Q | 功能描述:整流器 High Conductance Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1401 | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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