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参数资料
| 型号： | MMBD1401_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 56K |
| 描述： | DIODE SS 200V 200MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 175V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBD1401 / 1403 / 1404 / 1405
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBD1400 series, Rev. C1
Small Signal Diodes
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
MMBD1401 / 1403 / 1404 / 1405
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
MARKING
MMBD1401 29 MMBD1403 32
MMBD1404 33 MMBD1405 34
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
1
2
3
29
3
1
2
SOT-23
Connection Diagrams
1401
3
1403
1404 14053
3
112NC
2
3
21
2
1
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 100 μA
200
V
VF
Forward Voltage I
F = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 200 mA
IF = 300 mA
760
800
920
1.0
1.1
mV
mV
V
V
IR
Reverse Current V
R = 120 V
VR = 175 V
40
100
nA
nA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 30 mA, IRR = 3.0 mA,
50 ns
RL = 100 ?
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UM-3NPAF2X4 | BATT PK 12.0V AA SIZE CARBN ZINC |
| MMBD1201_D87Z | DIODE SS 100V 200MA SOT-23 |
| T86C335M035EBAS | CAP TANT 3.3UF 35V 20% 2312 |
| UM-3NPAF2X3 | BATT PK 9.0V AA SIZE CARBON ZINC |
| T86C335K035EBAS | CAP TANT 3.3UF 35V 10% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1402 | 制造商:JGD 制造商全称:Jinan Gude Electronic Device 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
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