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参数资料
| 型号： | MMBD1403-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 582K |
| 代理商： | MMBD1403-TP |
MARKING
MMBD1401 29
MMBD1404 33
MMBD1403 32
MMBD1405 34
MMBD1401
MMBD1403
MMBD1404
MMBD1405
High Voltage
General Purpose
Diode
)HDWXUHV
Low Current Leakage
Available in a Surface Mount Package
High Reverse Voltage
(OHFWULFDO &KDUDFWHULVWLFV # °& 8QOHVV 2WKHUZLVH 6SHFLILHG
Parameter
Symbol
Min
Max
Test Condition
Breakdown Voltage
VR
200V
IR=100
A
Instantaneous
Reverse Current
VFM
760 mV
850mV
950mV
1.3V
1.5V
IF=10mA
IF=50mA
IF=200mA
IF=300mA
Maximum
Instantaneous
Reverse Current
IR
40nA
100nA
VR=120V
VR=175V
Junction Capacitance
CO
2.0pF
Measured at
1.0MHz, VR=0V
Reverse Recovery
Time
Trr
50nS
IF=IR=30mA
IRR =1.0mA
RL=100 OHM
0D[LPXP5DWLQJV
Operating Temperature: -55
°C to +150°C
Storage Temperature: -55
°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 357
°C/W Junction To Ambient
Working Inverse Voltage
WIV
175
V
Average Rectified Current
IF(AV)
200
mA
DC Forward Current
IFM
600
mA
Recurrent Peak Forward Current
IFRM
700
mA
Non-repetitive Peak Forward
Surge Current
Pulse width = 1.0second
Pulse width = 1.0 microsecond
IFSM
1.0
2.0
A
Total Device Power Dissipation
Derate above 25
:
PD
350
2.8
mW
mW/
:
XX
3
12
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
CONNECTION DIAGRAMS
3
2
1
3
2
1
3
2
1
3
1
2 NC
1401
1403
1404
1405
www.mccsemi.com
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 3
2003/04/30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR1630CT-BP | 16 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MCL5227A-TP | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MCL5236-TP | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MCL5241D-TP | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MBR3045-BP | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1404 | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1404_L99Z | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1404_L99Z_Q | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1404_Q | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1404A | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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