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参数资料
| 型号： | MMBD1404 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 56K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 200V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 175V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBD1404DKR |
MMBD1401 / 1403 / 1404 / 1405
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBD1400 series, Rev. C1
Small Signal Diodes
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
MMBD1401 / 1403 / 1404 / 1405
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
MARKING
MMBD1401 29 MMBD1403 32
MMBD1404 33 MMBD1405 34
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
1
2
3
29
3
1
2
SOT-23
Connection Diagrams
1401
3
1403
1404 14053
3
112NC
2
3
21
2
1
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 100 μA
200
V
VF
Forward Voltage I
F = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 200 mA
IF = 300 mA
760
800
920
1.0
1.1
mV
mV
V
V
IR
Reverse Current V
R = 120 V
VR = 175 V
40
100
nA
nA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 30 mA, IRR = 3.0 mA,
50 ns
RL = 100 ?
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMBD1404_L99Z_Q | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1404_Q | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1404A | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1404A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode |
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