- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录53804 > MMBD1405AS62Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBD1405AS62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | MMBD1405AS62Z |
MMBD1401A
/
1403A
/
1404A
/
1405A
MMBD1401A-1405A, Rev. A
Typical Characteristics (continued)
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 0.1 to 10 mA
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
450
500
550
600
650
700
I - FORWARD CURRENT (mA)
V
-
F
O
R
W
A
R
D
VOL
T
A
GE
(mV)
F
725
Ta= 25°C
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 10 to 800 mA
10
20
30
50
100
200 300
500
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
I - FORWARD CURRENT (mA)
V
-
FO
R
W
A
R
D
VOL
T
A
GE
(mV
)
F
800
Ta= 25°C
Forward Voltage vs Ambient Temperature
VF - 1.0 uA - 10 mA (-40 to + 80 Deg C)
0.001 0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
200
400
600
800
I - FORWARD CURRENT (mA)
V
-
FOR
W
A
RD
VOL
T
A
G
E
(
m
V)
F
Ta= 25°C
Ta= +80°C
Ta= -40°C
CAPACITANCE vs REVERSE VOLTAGE
VR - 0 to 15 V
0
2
4
6
8
10
12
14
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
REVERSE VOLTAGE (V)
CA
P
A
C
IT
A
NC
E
(p
F)
Ta= 25°C
15
Average Rectified Current (Io) &
Forward Current (I ) versus
Ambient Temperature (T )
050
100
150
0
100
200
300
400
500
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I-
CURRENT
(
m
A
)
I
- FO
RW
ARD
CURRE
NT
S
TE
ADY
S
TA
TE
-
m
A
o
R
F
Io - AV
ERAGE
RECT
IFIED
CURRE
NT - m
A
A
REVERSE RECOVERY TIME vs
REVERSE RECOVERY CURRENT (Irr)
11.5
22.5
3
20
30
40
50
Irr - REVERSE RECOVERY CURRENT (mA)
R
E
V
E
RS
E
RE
COV
E
R
Y
(
n
S)
IF = IR = 30 mA
Rloop = 100 Ohms
V
F
V
F
V
F
High Voltage General Purpoise Diode
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD3004ST/R7 | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3004CT/R13 | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3004S | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4148WT-TP | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4148W | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD142W | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE |
| MMBD1501 | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1501 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode |
| MMBD1501_11 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:High Conductance Low Leakage Diode 350mW |
| MMBD1501_S00Z | 功能描述:整流器 High Cond Lo Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。