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参数资料
| 型号： | MMBD1501A_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE 200V 200MA SOT23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10nA @ 180V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBD1501/A / 1503/A / 1504/A / 1505/A
MMBD1500 series, Rev. B3
Typical Characteristics
Small Signal Diode
(continued)
250
3 5 10 20 30 50 100
275
300
325
Ta= 25 C°
Reverse Voltage, V
R
[V]
Reverse Current, IR
[uA]
0130 150 170 190 205
1
2
3
Ta= 25 C°
Reverse Current, I
R
[nA]
Reverse Voltage, VR
[V]
Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 1. Reverse Voltage vs Reverse Current
BV - 3.0 to 100 uA
IR - 130 - 250 Volts
Figure 3. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 1 to 100 uA
Figure 4. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 0.1 to 10 mA
Figure 5. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 10 to 800 mA
Figure 6. Total Capacitance vs Reverse Voltage
VR - 0 to 15 V
350
1 2 3 5 10 20 30 50 100Forward Current, I
F
[uA]
400
450
500
550
Ta= 25 C°
Forward Voltage, V
F
[V]
5000.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
Forward Current, IF
[mA]
550
600
650
700
750
800
Ta= 25 C°
Forward Voltage, V
F
[mV]
0.7510 20 30 50 100 200 300 500
Forward Current, IF
[mA]
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
Ta= 25 C°
Forward Voltage, V
F
[V]
02468101214
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Ta= 25 C°
Total Capacitance [pF]
Reverse Voltage [V]
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PDF描述 |
|---|---|
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| GRM188R71A154KA01D | CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603 |
| T95R476M020HSAL | CAP TANT 47UF 20V 20% 2824 |
| T86C684K050EBAS | CAP TANT 0.68UF 50V 10% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1501A-T | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
| MMBD1501A-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode 600mA, 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1501T | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1501-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1502A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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