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参数资料
| 型号： | MMBD1501A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE 200V 200MA SOT23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 其它图纸： | Diode Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10nA @ 180V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBD1501ADKR |
MMBD1501/A / 1503/A / 1504/A / 1505/A
MMBD1500 series, Rev. B3
Typical Characteristics (continued)
Small Signal Diode
(continued)
Figure 8. Power Derating Curve
Figure 7. Average Rectified Current (IF(AV))
versus Ambient Temperature (TA)
050100150
0
100
200
300
400
IF(AV)
- AVERAGE RECTIFIED CURRENT - mA
Current [mA]
Ambient Temperature, TA
[ C]
°
0 50 100 150 200
0
100
200
300
400
500
DO-35 Pkg
SOT-23 Pkg
Power Dissipation, P
D
[mW]
Average Temperature, IO
[ C]
°
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B2N-CW | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W |
| EBM25DSXH | CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD |
| T491C335K035AT | CAP TANT 3.3UF 35V 10% 2312 |
| VE-B2M-CX | CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W |
| EBM18DRYN | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1501A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR |
| MMBD1501A_D87Z | 功能描述:整流器 High Cond Lo Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1501A_Q | 功能描述:整流器 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1501A-T | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
| MMBD1501A-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode 600mA, 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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