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参数资料
| 型号： | MMBD1503D87Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | MMBD1503D87Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD1501A | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD1501D87Z | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MR5059 | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MR2401FR | 24 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MR327 | 25 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1503T | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1503-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1504 | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1504A | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1504A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE DUAL SOT-23 |
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