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参数资料
| 型号： | MMBD1704S62Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MMBD1704S62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD1704D87Z | 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD2005T3 | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3004CARFG | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3010T1G | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD1010LT1 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1705 | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1705_Q | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1705A | 功能描述:整流器 High Cond Lo Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD172SE | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
| MMBD193 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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