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参数资料
| 型号： | MMBD2004S-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | DIODE SS SW 350MW 240V SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 240V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 225mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 240V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1596 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBD2004S-7-FDIDKR |
MMBD2004S
Document number: DS30281 Rev. 12 - 2
2 of 4
www.diodes.com
August 2012
? Diodes Incorporated
MMBD2004S
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
300
V
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRWM
VR
240
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
170
V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
225
mA
Peak Repetitive Forward Current (Note 5)
IFRM
625
mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
4.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
350
mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
357
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ , TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
300
?
V
IR
= 100μA
Forward Voltage
VF
?
0.87
1.0
V
IF
= 20mA
IF
= 100mA
Reverse Current (Note 6)
IR
?
100
nA
μA
VR
= 240V
VR
= 240V, T
J
= +150
°C
Total Capacitance
CT
?
5.0
pF
VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
50
ns
IF
= I
R
= 30mA,
Irr = 3.0mA, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
0
120
80
40
160
200
T , AMBIENT TEMPERATURE (oC)A
Figure 1 Power Derating Curve, Total Package
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
100
200
300
400
500
0
400 800 1,200
1,600 2,000
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
m
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (mV)F
Figure 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
100
1.0
10
0.1
0.01
1,000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32921C3104M289 | CAP FILM 0.1UF 310VAC RADIAL |
| ECH-U1H102JB5 | CAP FILM 1000PF 50VDC 0805 |
| AT3075C | SW CAP SQUARE BEVELED RED |
| AT3077F | SW CAP SQUARE BEVELED GREEN |
| AT3074JC | CAP SCULPTURED CLR/RED ILLUM UB2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD2004SW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| MMBD2004SW_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| MMBD2004SW-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250MW 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD2004SW-7-F | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250MW 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD2005T1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Switching Diode |
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