参数资料
型号: MMBD2835LT1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 128K
描述: DIODE SWITCH DUAL 35V SOT23
产品变化通告: Product Discontinuation 27/Jun/2007
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 30V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 35V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阳极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MMBD2835LT1OSCT
MMBD2835LT1G, MMBD2836LT1G, SMMBD2835LT1G
http://onsemi.com
3
CURVES APPLICABLE TO EACH CATHODE
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0.001
0
I
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
I
1.0 1.2
0.2 0.4 0.6 0.8
Figure 4. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
1.75
1.50
1.25
0.75
1.00
2.0 4.0 6.0 8.0
, FORWARD CURRENT (mA)
F
TA
= 85
?C
TA
= -40
?C
TA
= 25
?C
, REVERSE CURRENT ( A)
R
, DIODE CAPACITANCE (pF)
D
TA
= 25
?C
TA
= 55
?C
TA
= 85
?C
TA
= 150
?C
TA
= 125
?C
相关PDF资料
PDF描述
MAX5055BASA+T IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC
S222M29Z5UN63J5R CAP CER 2200PF 1KV 20% RADIAL
QMK212B7103MG-T CAP CER 10000PF 250V X7R 0805
396-062-520-204 CARD EDGE 62POS DL .125X.250 BLK
RCM06DCAN-S189 CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBD2835LT1_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes
MMBD2835LT1G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 35V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
MMBD2835LT1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes
MMBD2836 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode
MMBD2836G 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode