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参数资料
| 型号： | MMBD2836LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 128K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 75V SOT23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBD2836LT1OSCT |
MMBD2835LT1G, MMBD2836LT1G, SMMBD2835LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
?C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (IR
= 100
Adc)
MMBD2835LT1G, SMMBD2835LT1G
MMBD2836LT1G
V(BR)
35
75
?
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3)
(VR
= 30 Vdc)
MMBD2835LT1G, SMMBD2835LT1G
(VR
= 50 Vdc)
MMBD2836LT1G
IR
?
?
100
100
nAdc
Diode Capacitance (VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
4.0
pF
Forward Voltage
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 50 mAdc)
(IF
= 100 mAdc)
VF
?
?
?
1.0
1.0
1.2
Vdc
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc) (Figure 1)
trr
?
4.0
ns
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820?
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R0.25S12-2409/P-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 9V OUT |
| RCM06DCBD-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| MMBD2835LT1 | DIODE SWITCH DUAL 35V SOT23 |
| MAX5055BASA+T | IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC |
| S222M29Z5UN63J5R | CAP CER 2200PF 1KV 20% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD2836LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD2836LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE, 75V, 100mA, SOT-23 |
| MMBD2837 | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:MONOLITHIC DUAL SWITCHING DIODE |
| MMBD2837G | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes |
| MMBD2837LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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