参数资料
型号: MMBD2837LT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 128K
描述: DIODE SWITCH DUAL 30V SOT23
产品目录绘图: Rectifier SOT-23, SOT-23S
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 30V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 150mA
电压 - (Vr)(最大): 30V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1569 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MMBD2837LT1GOSDKR
MMBD2837LT1G, MMBD2838LT1G, SMMBD2837LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (EACH DIODE)
(TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 100
Adc)
MMBD2837LT1G, SMMBD2837LT1G
MMBD2838LT1G
V(BR)
35
75
?
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3.)
(VR
= 30 Vdc)
MMBD2837LT1G, SMMBD2837LT1G
(VR
= 50 Vdc)
MMBD2838LT1G
IR
?
?
0.1
0.1
Adc
Diode Capacitance (VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
4.0
pF
Forward Voltage
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 50 mAdc)
(IF
= 100 mAdc)
VF
?
?
?
1.0
1.0
1.2
Vdc
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc) (Figure 1)
trr
?
4.0
ns
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820?
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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