- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录39704 > MMBD3004CARFG 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBD3004CARFG |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | MMBD3004CARFG |
MMBD3004/CA/CC/SE
350mW SMD Switching Diode
Small Signal Diode
Rating and Sharacteristic Curves
FIG 3 Admissible Power Dissipation Curve
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Power
Dissipat
ion
(mW
)
Ambient Temperature (°C)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Ta=25°C
FIG 1 Typical Forward Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
In
st
ant
aneous
F
orward
Current
(mA)
Tj=25
oC
Inataneous Forward Voltage (V)
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0.01
0.1
1
10
100
C
TT
ot
al
Capacit
ance
(pF
)
FIG4 Typical Capacitance vs Reverse Voltage
Reverse Voltage
(V)
FIG 2 Typical Reverse Characteristics
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
In
st
ant
aneous
Reverse
Current
(mA)
Inataneous Reverse Voltage (V)
Tj=25
oC
Version : A11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD3010T1G | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD1010LT1 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD2010T1 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD352LT1 | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| MMBD4148CCL99Z | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD3004CC | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:350mW SMD Switching Diode |
| MMBD3004CC RF | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 350mW SMD Switching Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD3004S | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:Three Terminals SMD Switching Diodes |
| MMBD3004S-13-F | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SMALL SIGNAL DIODE SWITCHING 350MW 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD3004S-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 300V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。