型号: | MMBD3004CT/R13 |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 122K |
代理商: | MMBD3004CT/R13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBD3004S | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD4148WT-TP | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD4148W | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD452 | 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD6050-GS18 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBD3004S | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:Three Terminals SMD Switching Diodes |
MMBD3004S-13-F | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SMALL SIGNAL DIODE SWITCHING 350MW 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
MMBD3004S-7 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 300V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
MMBD3004S-7-F | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 300V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
MMBD3004SE | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:350mW SMD Switching Diode |