- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录382337 > MMBD301L (乐山无线电股份有限公司) Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBD301L |
| 厂商： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 英文描述： | Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
| 中文描述： | 硅热载流子二极管肖特基二极管 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MMBD301L |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Minority Carrier Lifetime
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. Reverse Leakage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
,
I
,
I
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
10
0
6.0
12
18
24
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
10
20
500
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
21
1.6
30
24
27
18
1.2
0.8
0.4
f = 1.0 MHz
TA = –40
°
C
TA = 85
°
C
TA = 25
°
C
1.0
0.1
30
40
50
60
70
80
100
90
KRAKAUER METHOD
0
2.8
2.4
2.0
30
TA = 100
°
C
75
°
C
25
°
C
,
C
,
400
300
200
100
SINUSOIDAL
GENERATOR
BALLAST
NETWORK
(PADS)
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
(50 INPUT)
PADS
CAPACITIVE
CONDUCTION
FORWARD
CONDUCTION
STORAGE
CONDUCTION
DUT
IF(PEAK)
IR(PEAK)
Figure 5. Krakauer Method of Measuring Lifetime
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD353LT1 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| MMBD352 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| MMBD352LT1 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| MMBD352WT1 | Dual Shottky Barrier Diode |
| MMBD355LT1 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD301LT1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD301LT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD301LT3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD301LT3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD301LTI | 制造商:- - 功能描述:Detector Diode, Sot-23 制造商:Motorola Inc 功能描述:Detector Diode, Sot-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Detector Diode, Sot-23 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。