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参数资料
| 型号： | MMBD330WS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SOD-323, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | MMBD330WS |
PAGE . 3
STAD-SEP.29.2003
MOUNTING PAD LAYOUT
0.047
MIN
0.062 MAX
0.059 MAX
(1.2
MIN)
(1.6 MAX)
(1.5 MAX)
SOD-323
Unit: inch (mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4148CA | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4148TGT/R | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448H-13 | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HSDW | 0.25 A, 80 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HT-TP | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD330WS_09 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
| MMBD352 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
| MMBD352LT1 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD352LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| MMBD352LT1G | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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