型号: | MMBD352 |
元件分类: | 射频混频器 |
英文描述: | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 128K |
代理商: | MMBD352 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBD353 | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
MMBZ5228-V-G-08 | 3.9 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5228C-V-G | 3.9 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5237-V-G-08 | 8.2 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5242C-V-G | 12 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBD352LT1 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
MMBD352LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
MMBD352LT1G | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
MMBD352LT1G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
MMBD352LT3 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |