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参数资料
| 型号： | MMBD352WT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Dual Shottky Barrier Diode |
| 中文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | MMBD352WT1 |
MMBD352LT1 MMBD353LT1 MMBD354LT1 MMBD355LT1
http://onsemi.com
2
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 2. Capacitance
I
F
0.7
0.8
0.3
0.4
0.5
0.6
,
TA = 85
°
C
TA = -40
°
C
TA = 25
°
C
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
1.0
0.9
0.8
0.6
0.7
1.0
2.0
3.0
4.0
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD355LT1 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| MMBD352 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| MMBD352LT1 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| MMBD352WT1 | Dual Schottky Barrier Diode |
| MMBD355LT1 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD352WT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diode |
| MMBD352WT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD353 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
| MMBD353LT1 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD353LT1G | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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