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参数资料
| 型号： | MMBD4148_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 63K |
| 描述： | DIODE SS 100V 200MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 ?2004 Fairchild Semiconductor Corporation MMBD4148/SE/CC/CA, Rev. A1 MMBD4148/SE/CC/CA Typical Characteristics (continued) 10 20 30 40 50 60 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Ta= 25 C° Reverse Recovery Time [nS] Reverse Current [mA] 0 50 100 150 0 100 200 300 400 IF(AV) - AVERAGE RECTIFIED CURRENT - mA Current [mA] Ambient Temperature, TA [ C] ° 0 50 100 150 200 0 100 200 300 400 500 DO-35 Pkg SOT-23 Pkg Power Dissipation, P D [mW] Average Temperature, IO [ C] ° Figure 7. Reverse Recovery Time vs Reverse Current TRR - IR 10 mA vs 60 mA Figure 8. Average Rectified Current (IF(AV)) versus Ambient Temperature (TA) Figure 9. Power Derating Curve |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4148E | 制造商:JIANGSU 制造商全称:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:SWITCHING DIODE |
| MMBD4148F | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Plastic-Encapsulated Switching Diode |
| MMBD4148FN2 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| MMBD4148LT | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| MMBD4148M | 制造商:JIANGSU 制造商全称:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:SWITCHING DIODE |
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