参数资料
型号: MMBD4448-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 75K
描述: DIODE SWITCH 75V 350MW SOT23-3
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2.5µA @ 75V
电容@ Vr, F: 4pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MMBD4448CT
MMBD4448CT-ND
MMBD4448DICT
MMBD4448
Document number: DS12011 Rev. 17 - 2
3 of 4
www.diodes.com
February 2011
? Diodes Incorporated
MMBD4448
0.1
1
10
100
1,000
10,000
0
20 40 60 80 100
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(nA)
R
0
0102030
0.5
1.0
2.5
2.0
1.5
3.0
40
C
,
T
O
T
AL
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E (p
F
)
T
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
f = 1MHz
Package Outline Dimensions
Suggested Pad Layout
SOT-23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
B
1.20 1.40 1.30
C
2.30 2.50 2.40
D
0.89 1.03 0.915
F
0.45 0.60 0.535
G
1.78 2.05 1.83
H
2.80 3.00 2.90
J
0.013 0.10 0.05
K
0.903 1.10 1.00
K1
- - 0.400
L
0.45 0.61 0.55
M
0.085 0.18 0.11
α
0° 8° -
All Dimensions in mm
Dimensions Value (in mm)
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
A
M
J
L
D
F
相关PDF资料
PDF描述
ESM08DRXN CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD
B150B-13 DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB
VI-B6D-CX-F1 CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
SDR1006-560KL INDUCTOR POWER 56UH 1.15A SMD
VI-B6D-CW-F4 CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBD44487F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
MMBD4448-7-F 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
MMBD4448ADW 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:Plastic-Encapsulate Diode
MMBD4448AQW 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:Plastic-Encapsulate Diode
MMBD4448BPT 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY