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参数资料
| 型号： | MMBD4448DW-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 78K |
| 描述： | DIODE SW FAST 200MW 75V SOT363 |
| 产品变化通告： | Wire Change 16/Sept/2008 |
| 其它图纸： | SOT-363 Side 1 SOT-363 Top SOT-363 Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 250mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1596 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBD4448DW-FDIDKR |
MMBD4448DW
Document number: DS31035 Rev. 12 - 2
2 of 4
www.diodes.com
February 2011
? Diodes Incorporated
MMBD4448DW
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
75 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
53 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
500 mA
Average Rectified Output Current (Note 5)
IO
250 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t < 1μs
@ t < 1s
IFSM
4
1
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
200 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
625 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150 °C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
75
?
V
IR
= 10
μA
Forward Voltage
VF
0.62
?
?
?
0.720
0.855
1.0
1.25
V
IF = 5.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 6)
IR
?
2.5
50
30
25
μA
μA
μA
nA
VR
= 75V
VR
= 75V, T
J
= 150°C
VR
= 25V, T
J
= 150°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
4.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr
= 0.1 x I
R, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which
can be found on our w
ebsite at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating.
0
0
50
100
150
200
250
120
80
40
160 200
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package (Note 5)
10
100
1,000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4 0.8
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB2011SB3G01-BA | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| MB2061SB1W01-DB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 6A 125V |
| AT3073JC | SW CAP SQ NON-ILLUM CLEAR RED |
| MB2061SB1W01-DF | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 6A 125V |
| MB2061SB1W01-DA | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 6A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448DWPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
| MMBD4448DWT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250mA 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448DW-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250mA 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448F | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Plastic-Encapsulated Switching Diode |
| MMBD4448FPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
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