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参数资料
| 型号： | MMBD4448H-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 71K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 350MW SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Wire Change 16/Sept/2008 |
| 其它图纸： | SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电容@ Vr, F： | 3.5pF @ 6V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1596 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBD4448H-FDIDKR |
MMBD4448H
Document number: DS30176 Rev. 10 - 2
2 of 4
www.diodes.com
February 2011
? Diodes Incorporated
MMBD4448H
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
80 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
57 V
Forward Continuous Current (Note 3)
IFM
500 mA
Average Rectified Output Current (Note 3)
IO
250 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
4.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 3)
PD
350 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 3)
RθJA
357
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 4)
V(BR)R
80
?
V
IR
= 2.5
μA
Forward Voltage
VF
0.62
?
?
?
0.72
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 5.0mA
IF
= 10mA
IF
= 100mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 4)
IR
?
100
50
30
25
nA
μA
μA
nA
VR
= 70V
VR
= 75V, T
J
= 150
°C
VR
= 25V, T
J = 150°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
3.5 pF VR
= 6V, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns VR
= 6V, I
F
= 5mA
Notes: 3. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
40 160120
80
200
T , AMBIENT TEMPERATURE (oC)A
Fig. 1 Power Derating Curve (Note 3)
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
0
100
200
300
400
500
10
100
1,000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4
0.8
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
T = 125oCA
T = -40oCA
T = 75oCA
T = 25oCA
T = 0oCA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBD4448HADW-7 | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HADW7F | 制造商:DIODES INC 功能描述:Pb Free |
| MMBD4448HADW-7-F | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HADWPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
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