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参数资料
| 型号： | MMBD4448HCQW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | DIODE SW ARRAY 80V 200MW SOT353 |
| 产品目录绘图： | SOT-353 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 250mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SOT-353 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBD4448HCQW MMBD4448HCQWCT MMBD4448HCQWCT-ND MMBD4448HCQWDICT |
MMBD4448HCQW /AQW
/ADW /CDW /SDW /TW
Document number: DS30153 Rev. 18 - 2
2 of 4
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
MMBD4448HCQW /AQW
/ADW /CDW /SDW /TW
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
80 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
57 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
500 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
4.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
200 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
625 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
80
?
V
IR
= 100μA
Forward Voltage
VF
0.62
?
?
?
0.72
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 5.0mA
IF
= 10mA
IF
= 100mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 6)
IR
?
100
50
30
25
nA
μA
μA
nA
VR
= 70V
VR
= 75V, T
J
= +150°C
VR
= 25V, T
J
= +150°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
3.5 pF VR
= 6V, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns VR
= 6V, I
F = 5mA
Notes: 5. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which
can be found on our w
ebsite at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
50
100
150
200
250
0140
80
20160
200
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Figure 1 Power Derating Curve, Total Package
Note 5
10
100
1,000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4 0.8
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Figure 2 Typical Forward Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95D157M016HSSS | CAP TANT 150UF 16V 20% 2917 |
| VE-J3N-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W |
| IR2127 | IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8-DIP |
| 396-080-526-202 | CARD EDGE 80POS DL .125X.250 BLK |
| RJZ-093.3S | CONV DC/DC 2W 09VIN 3.3VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448HCQW-7-F | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HCQWPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
| MMBD4448HCQW-TP | 功能描述:DIODE SWITCHING 200MW 80V SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| MMBD4448HCT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:SWITCHING DIODE - Tape and Reel |
| MMBD4448HPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
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