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参数资料
| 型号： | MMBD4448HSDW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | DIODE SWITCHING ARRAY 80V SOT363 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 产品目录绘图： | SOT-363 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 250mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBD4448HSDWDICT |
MMBD4448HCQW /AQW
/ADW /CDW /SDW /TW
Document number: DS30153 Rev. 18 - 2
2 of 4
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
MMBD4448HCQW /AQW
/ADW /CDW /SDW /TW
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
80 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
57 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
500 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
4.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
200 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
625 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
80
?
V
IR
= 100μA
Forward Voltage
VF
0.62
?
?
?
0.72
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 5.0mA
IF
= 10mA
IF
= 100mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 6)
IR
?
100
50
30
25
nA
μA
μA
nA
VR
= 70V
VR
= 75V, T
J
= +150°C
VR
= 25V, T
J
= +150°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
3.5 pF VR
= 6V, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns VR
= 6V, I
F = 5mA
Notes: 5. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which
can be found on our w
ebsite at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
50
100
150
200
250
0140
80
20160
200
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Figure 1 Power Derating Curve, Total Package
Note 5
10
100
1,000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4 0.8
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Figure 2 Typical Forward Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32529C1474J | CAP FILM 0.47UF 100VDC RADIAL |
| 1.15108.8510000 | SWITCH KEYLOCK MOM LATCH 1NC 1NO |
| TM7EP202 | TRIMMER 2K OHM 0.5W TH |
| B32521C474J | CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL |
| ISL28134IBZ-T13 | IC OPAMP CHOPPER RR 3.5MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448HSDW-7-F | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HSDWPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
| MMBD4448HSDWT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448HSDW-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448HST-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:SWITCHING DIODE - Tape and Reel |
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