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参数资料
| 型号： | MMBD4448HSDW |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.25 A, 80 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | MMBD4448HSDW |
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
MMBD4448HSDW
Fig.1 Typical Forward Characteristics
Fig.2 Typical Reverse Characteristics
Fig.3 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig.4 Power Derating Curve
Fig.5 Reverse Recovery Time vs. Forward Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4448HT-TP | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448W-13 | 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD6050/E9 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD7000WT/R7 | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448HSDW-7 | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HSDW-7-F | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HSDWPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
| MMBD4448HSDWT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448HSDW-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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