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参数资料
| 型号： | MMBD4448HT-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | MMBD4448HT-TP |
MMBD4448HT/HTA/HTC/HTS
MCC
www.mccsemi.com
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
10
100
1000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4
0.8
I
,
INST
ANT
ANE
O
US
F
O
R
W
ARD
CURRENT
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
T = 125C
A
T = -40C
A
T = 75C
A
T = 25C
A
T = 0C
A
0.1
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
I
,
INST
ANT
ANE
O
US
REVERSE
CURRENT
(nA)
R
T = -40C
A
T = 25C
A
T = 75C
A
T = 125C
A
T= 0C
A
0
0.5
1
2.5
2
1.5
3
0
10
20
40
30
C
,
T
OT
AL
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 3 Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
f = 1MHz
0
50
100
150
200
250
0
100
200
P,
P
O
WER
DISSIP
A
TI
O
N
(mW)
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 4 Power Derating Curve, Total Package
2 of 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4448W-13 | 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
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| MMBD7000 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBD4448HTWPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
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