- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录39704 > MMBD4448HTS (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) 0.25 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBD4448HTS |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.25 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MMBD4448HTS |
MMBD4448HT/
150mW
Switching Diodes
Features
Fast Switching Speed
For General Purpose Switching Applications
High Conductance, Power Dissipation
Ultra-Small Surface Mount Package
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VRM
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
100
V
VRRM
VRWM
VR
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
80
V
VR(RMS)
RMS Reverse Voltage
57
V
IFM
Forward Continuous Current
500
mA
IO
Average Rectified Output Current
250
mA
IFSM
Peak Forward Surge Current @1.0
s
@1.0s
4.0
2.0
A
RJA
Thermal Resistance Junction to Ambient
833
/W
PD
Power dissipation
150
mW
TJ
Junction Temperature
150
TSTG
Storage Temperature
-65 to +150
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Test Conditions
V(BR)
Reverse Breakdown Voltage
80V
---
IR=2.5
A
IR
Reverse Voltage Leakage
Current
---
0.1
A
25 nA
VR=70V
VR=20V
VF
Forward Voltage
0.62
---
0.72V
0.855V
1.0V
1.25V
IF=5.0mA
IF=10mA
IF=100mA
IF=150mA
CT
Total Capacitance
---
3.5pF
VR=6V, f=1MHZ
trr
Reverse Recovery Time
---
4.0ns
IF=5mA,
VR=6V
www.mccsemi.com
Revision: 1
2007/09/05
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
HTA/HTC/HTS
TM
Micro Commercial Components
1 of 3
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A.059
.067
1.50
1.70
B
.030
.033
0.75
0.85
C
.057
.069
1.45
1.75
D
.020 Nominal
0.50Nominal
E.035
.043
0.90
1.10
G
.000
.004
.000
.100
H
.028
.031
.70
0.80
J
.004
.008
.100
.200
K
.010
.014
.25
.35
A
C
B
D
E
G
H
J
DIMENSIONS
K
SOT-523
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6100W | 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000 | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD717WS | 0.2 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD914-V-GS08 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBZ27VDC-GS18 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448HTS-7 | 功能描述:整流器 80V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HTS-7-F | 功能描述:整流器 80V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HTS-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 500mA 3.5pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448HT-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 500mA 3.5pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448HTW | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Surface Mount Switching Diode Array |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。