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参数资料
| 型号： | MMBD4448WT/R13 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | MMBD4448WT/R13 |
PAGE . 3
REV.0.2-MAR.3.2009
MOUNTING PAD LAYOUT
Packing information
T/R - 12K per 13" plastic Reel
T/R - 3K per 7” plastic Reel
ORDER INFORMATION
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2010
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSMBJ2K3.0 | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| MSMBJ2K3.3 | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| MXLSMBG2K4.0E3TR | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| MXLSMBG2K4.5 | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| MXSMBJ2K4.0 | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448WTT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 500mA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448WT-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 500mA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448Z | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:0.25A , 100V Plastic-Encapsulated Switching Diode |
| MMBD448HTW7F | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MMBD451LT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
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