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参数资料
| 型号： | MMBD452LT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | MMBD452LT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6050-V-GS18 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050T/R7 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6100T/R7 | 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000 | 0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD495A | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD495C | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD495S | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD5004A-7 | 功能描述:MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBD5004BRM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY |
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