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参数资料
| 型号： | MMBD6050-GS18 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | MMBD6050-GS18 |
www.vishay.com
2
Document Number 85735
Rev. 1.3, 08-Jul-04
VISHAY
MMBD6050
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Reverse breakdown voltage
IR = 100 AV(BR)R
70
V
Forward voltage
IF = 1 mA
VF
0.55
0.7
V
IF = 100 mA
VF
0.85
1.1
V
Reverse leakage current
VR = 50 V
IR
0.1
A
Reverse recovery time
IF = IR = 10 mA, Irr = 1 mA
trr
4ns
Diode capacitance
VR = 0
Ctot
2.5
pF
Figure 1. Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
Figure 2. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
r
-
Dynamic
Forward
Resistance
(
)
f
10
100
1
100
10
18861
IF - Forward Current ( mA )
200
18889
Tamb - Ambient Temperature ( °C)
500
400
300
200
100
20 40 60 80 100 120 140 160 180
0
P
-
Admissible
Power
Dissipation
(
m
W
)
tot
Figure 3. Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
Figure 4. Relative Capacitance vs. Reverse Voltage
18662
1
10
100
1000
10000
r
-
Dynamic
Forward
Resistance
(
)
f
110
0.1
0.01
100
IF - Forward Current ( mA )
=25 ° C
Tj
f=1kHz
18664
2468
0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10
C
-
Relative
Capacitance
(
pF
)
tot
VR - Reverse Voltage(V)
=25
°C
Tj
f=1MHz
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