型号: | MMBD6050-V-GS18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 137K |
代理商: | MMBD6050-V-GS18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBD6050T/R7 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD6050 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD6100T/R7 | 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD7000 | 0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD701T/R7 | 0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBD6050WS | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
MMBD6050WS_09 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
MMBD6100 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode |
MMBD6100_09 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
MMBD6100LT1 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |