| 型号: | MMBD6100 |
| 元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述: | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 505K |
| 代理商: | MMBD6100 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD914 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBZ5223B-T1 | 2.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5231B-T1 | 5.6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5241B-T1 | 12 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5243B-T1 | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD6100_09 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| MMBD6100LT1 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD6100LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
| MMBD6100LT1G | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD6100LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |