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参数资料
| 型号： | MMBD7000LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 100V SOT23 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBD7000LT1OSCT |
MMBD7000LT1G, SMMBD7000LT1G, MMBD7000LT3G, SMMBD7000LT3G
http://onsemi.com
3
CURVES APPLICABLE TO EACH DIODE
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0.001
0
I
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
I
1.0 1.2
0.2 0.4 0.6 0.8
Figure 4. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
0.68
0.64
0.60
0.52
0.56
2.0 4.0 6.0 8.0
, FORWARD CURRENT (mA)
F
TA
= 85
?C
TA
= -40
?C
TA
= 25
?C
, REVERSE CURRENT ( A)
R
, DIODE CAPACITANCE (pF)
D
TA
= 25
?C
TA
= 55
?C
TA
= 85
?C
TA
= 150
?C
TA
= 125
?C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCM06DCBH-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| S222Z29Y5VN63J5R | CAP CER 2200PF 1KV RADIAL |
| MMBD6100LT1 | DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23 |
| 396-062-520-804 | CARD EDGE 62POS DL .125X.250 BLK |
| R0.25S12-2409/H-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 9V OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD7000LT-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode |
| MMBD7000LT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode |
| MMBD7000LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD7000LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| MMBD7000LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS |
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