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参数资料
| 型号： | MMBF170L99Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBF170L99Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF4119 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MMBF4118 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| PN4117/J05Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| MMBF4391LT3 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MMBF4393LT3 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF170L-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MMBF170LT1 | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170LT1_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 |
| MMBF170LT1G | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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