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参数资料
| 型号： | MMBF170LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR 60V 500MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBF170LT3GOSCT |
MMBF170L, NVBF170L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.2
1.0
0.8
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
5.0 V
4.5 V
4.2 V
1.0
0.8
0.6
V DS ≥ 10 V
0.6
4.0 V
3.8 V
0.4
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
7
0.2
0
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
2 3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. Transfer Characteristics
8
7
T J = 25 ° C
15
12.5
QT
30
25
6
5
4
10
7.5
V DS
V GS
20
15
3
2
1
0
0.15
0.25
0.35
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.45 0.55
0.65
0.75
0.85
5
2.5
0
0
Q gs
0.5
Q gd
1
1.5
I D = 0.5 A
T J = 25 ° C
10
5
0
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
0.24
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 6. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32620J222J189 | FILM CAP 0.0022UF 5% 1KV |
| FXO-HC535-33.3333 | OSC 33.3333 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC535-36 | OSC 36 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| CS325-13.000MABJ-UT | CRYSTAL 13.0000MHZ 18PF SMD |
| FXO-HC535-38.4 | OSC 38.4 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF2201NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF2201NT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 |
| MMBF2201NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF2201PT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MMBF2202PT1 | 功能描述:MOSFET 20V 300mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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