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参数资料
| 型号： | MMBF2202PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 300MA SOT323 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-323, SOT-416 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBF2202PT1GOSDKR |
MMBF2202PT1
TYPICAL CHARACTERISTICS
6
5
1.0
0.9
0.8
4
V GS = 4.5 V
0.7
0.6
- 55
3
2
1
V GS = 10 V
0.5
0.4
0.3
0.2
150
25
0.1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0 2.5
3.0
3.5 4.0
4.5 5.0
5.5
6.0
1
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On Resistance versus Drain Current
0.8
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
0.7
V GS = 5 V
0.1
25 °
0.6
0.5
V GS = 4.5 V
0.01
150 °
0.4
0.3
0.2
0.1
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V SD , SOURCE-DRAIN FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Source-Drain Forward Voltage
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. On Region Characteristics
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
C oss
C rss
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
http://onsemi.com
3
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