参数资料
型号: MMBF5457LT3
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
文件页数: 1/3页
文件大小: 87K
代理商: MMBF5457LT3
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PDF描述
MMBF5459LT1 N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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相关代理商/技术参数
参数描述
MMBF5458 功能描述:JFET N-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
MMBF5458_Q 功能描述:JFET N-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
MMBF5459 功能描述:JFET N-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
MMBF5459_Q 功能描述:JFET N-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
MMBF5460 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel