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参数资料
| 型号： | MMBF5484S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MMBF5484S62Z |
2N5484
/
2N5485
/
2N5486
/
MMBF5484
/
MMBF5485
/
MMBF5486
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE ( C)
P
-
POW
E
R
DISSI
P
A
TIO
N
(
m
W
)
D
o
Transconductance vs
Drain Current
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.1
0.5
1
5
10
I
- DRAIN CURRENT (mA)
g
fs
-
-T
RANSC
O
N
D
U
C
T
A
N
C
E
(
m
mhos
)
D
GS
V
= - 5V
GS(OFF)
GS
V
= - 1.5V
GS(OFF)
T
= -55 C
O
A
T = +25 C
A
O
T = +125 C
A
O
T
= -55 C
O
A
T = +25 C
A
O
T = +125 C
A
O
V
= 15V
f = 1.0 kHz
DG
Noise Voltage vs Frequency
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
5
10
f -- FREQUENCY (kHz)
e
-
N
O
IS
E
V
O
L
T
A
G
E
(
n
V
/
H
z
)
V
= 15V
DG
BW = 6.0 Hz @ f = 10 Hz, 100 Hz
= 0.2 f @ f > 1.0 kHz
I = 0.5 mA
D
I = 3 mA
D
n
Capacitance vs Voltage
-20
-15
-10
-5
0
1
5
10
V -- GATE-SOURCE VOLTAGE(V)
C
(
C
)
--
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
(pF)
GS
is
rs
C
( V
= 0 V)
C
( V
= 15 V)
C
( V
= 15 V)
DS
is
rs
f = 0.1 - 1.0 MHz
Noise Figure Frequency
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
0
1
2
3
4
5
f -- FREQUENCY (MHz)
N
F
--
N
O
ISE
F
IG
U
R
E
(
d
B
)
V
= 15V
DS
I
= 5.0 mA
R
= 1.0 k
T = +25 C
A
O
D
g
N-Channel RF Amplifier
(continued)
SOT-23
TO-92
Typical Characteristics (continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF5486S62Z | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
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| MMBF5484LT3 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MMBF5486LT3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MMBFJ111L99Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF5485 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5485_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486_S00Z | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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