参数资料
型号: MMBF5485-HIGH
厂商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA
文件页数: 2/2页
文件大小: 47K
代理商: MMBF5485-HIGH
相关PDF资料
PDF描述
MMST4403T146 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA10 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS4250T93 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH32 NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MS3381 L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBF5486 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBF5486_Q 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBF5486_S00Z 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBFJ108 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
MMBFJ109 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Switch