- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录80652 > MMBFJ113 (NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP) N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBFJ113 |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | MMBFJ113 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16106L | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13004L | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13009W | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MP6502 | 20 A, 400 V, 3 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MPS2369A/D26Z | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBFJ113_Q | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ175 | 功能描述:JFET P-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ175 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL JFET ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL JFET, 30V, SOT-23 |
| MMBFJ175_Q | 功能描述:JFET P-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ175LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。