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参数资料
| 型号： | MMBT100 |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | MMBT100 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA42/D75Z-J14Z | 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPS6726RLRB | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3704 | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJ15016 | 15 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| MPS6561TRH | 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT100_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT100A | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 GEN PURP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT100A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 GEN PURP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT1010 | 制造商:ETL 制造商全称:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Low Saturation Voltage |
| MMBT1010LT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Low Saturation Voltage |
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