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参数资料
| 型号： | MMBT101-HIGH |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | MMBT101-HIGH |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT1010LT3 | 100 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT1015-TP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT1015L-TP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT1015G-Y-AC3-R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT1015G-GR-AL3-R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT123S | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT123S_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT123S_2 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT123S-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 18V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT123S-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT 18V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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