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参数资料
| 型号： | MMBT2131T1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors |
| 中文描述： | 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 318F-05, SC-74, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | MMBT2131T1 |
3–3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Figure 7. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 8. VBE(on) Voltage
Figure 9. Thermal Response Curve
1.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
0.6
0.4
0.2
0.3
0.01
0.0001
TIME (sec)
1.0
0.01
V
0.1
0
0.001
1.0
0.0001
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
0.75
0.5
V
0.25
0
0.001
0.01
VCE = 1.0 V
T
0.5
0.1
0.1
0.1
1.0
10
100
IC/IB = 100
T = 85
°
C
25
°
C
0
°
C
150
°
C
25
°
C
–40
°
C
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1 (SEE AN569)
Z
θ
JA(t) = r(t) R
θ
JA
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θ
JA(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t1
t2
P(pk)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2131T3 | General Purpose Transistors |
| MMBT2132T1 | 43632 LOGIC CELLS 12 ROCKET IOS 2 POWER |
| MMBT2132T3 | General Purpose Transistors |
| MMBT2222ATT1 | General Purpose Transistor |
| MMBT2222ATTD | General Purpose Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2131T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2131T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2132T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
| MMBT2132T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 700mA NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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