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参数资料
| 型号： | MMBT2222A/D87Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | MMBT2222A/D87Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ2222/L86Z | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2222/D84Z | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2222/L99Z | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2222 | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2222AD84Z | 500 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2222ADW1T1 | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:Dual General Purpose Transistors |
| MMBT2222AE | 制造商:JIANGSU 制造商全称:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR |
| MMBT2222AF065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
| MMBT2222A-G | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=40V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MMBT2222AG-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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